本发明公开一种差分结构生化传感器
芯片,第一延长栅和第二延长栅具有两种敏感性质的聚吡咯层,第一延长栅、准参比电极及第二延长栅分别与各压焊块相连。本发明公开的方法用
电化学法聚合得到第一延长栅上生长PH敏感的第一聚吡咯层、第二延长栅上生长PH钝化的第二聚吡咯层;准参比电极的第三
铝层由标准CMOS工艺在加工芯片时沉积,第三铂层采用磁控溅射法沉积生长在第三铝层上。采用
多晶硅栅标准工艺流片实现差分结构离子敏场效应晶体管芯片。在后续工艺中制备PH敏感层与PH钝化层的方法,解决目前因采用不同材料作为PH敏感层与PH钝化层而引起差分测量误差的问题,获得较好的差分效果和良好的稳定性,并能适应较宽的环境变量范围。
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来源：北方有色网
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