一种提高光刻技术分辨率的方法,利用光学原理和光敏材料的光化学反应理论,根据对特殊设计的掩模版测试图形实际曝光结果的测量和模拟计算得到光刻胶的阈值能量以及光酸生成剂的扩散长度,随后依据此数据进行1～3次曝光、1～2次显影。本发明提高了对光酸扩散长度的控制,并通过显影工艺防止了由于光酸的不良分布导致的空间图像本底提升的问题,从而得到更高的空间对比度,进一步提高光刻技术的分辨率。
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来源：北方有色网
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