本发明公开了一种成分可调的(Sb1-xBix)2Se3纳米线的制备方法，包括：（1）提供表面附着胶体金颗粒的基底以及主要由Sb2Se3粉末和Bi2Se3粉末混合形成的生长源；（2）将所述基底和生长源均置于化学气相沉积设备的反应区域中，且使所述基底设置于所述生长源下游，而后将所述反应区域密封；（3）排除所述反应区域内的氧气，再输入稀有气体作为载气，并将所述反应区域的气压均维持在设定范围，且调整反应温度至设定值，直至反应完成，而后冷却至室温，获得(Sb1-xBix)2Se3纳米线，其中x=0～0.88。本发明利用简单的化学气相沉积的方法，通过改变生长源的比例或者生长温度，得到了成分可调、高质量的单晶(Sb1-xBix)2Se3纳米线，其可作为一种具有良好光电响应性能的新光电探测材料广泛应用。
声明：
“成分可调的三元(Sb1-xBix)2Se3纳米线的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1144
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
