本发明涉及一种黄曲霉毒素B1金纳米井阵列免疫电极的制备方法，其采用化学沉积法在模孔直径为400‑800nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金，得到金纳米管阵列主体，在模孔直径为80‑200nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金，得到金纳米柱阵列底片，组装制成金纳米井阵列电极；在金纳米管阵列电极表面滴加蛋白A溶液形成蛋白A/金纳米井阵列电极；而后放入无标记AFB1抗体溶液中，制成AFB1抗体/蛋白A/金纳米井阵列电极；进而封闭得到AFB1免疫反应电极。本发明制作简单，具有三维结构，表面积大，有效避免不同材质导致的
电化学响应信号的干扰；抗体固定牢固有效，性能稳定可靠，可实现AFB1的灵敏快速测定。
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“黄曲霉毒素B1金纳米井阵列免疫电极的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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