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(InxGa1-x)2O3宽禁带半导体材料的制备方法及其应用

1042   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 08:23:03
本发明涉及一种(InxGa1‑x)2O3宽禁带半导体材料的制备方法及其应用,包括以下步骤:步骤1、氧化镓、氧化铟和碳粉混合粉末的制备;步骤2、通过化学气相沉积法(CVD)实现(InxGa1‑x)2O3宽禁带半导体材料的制备(0 <!– 登录解锁全文 –> 登录解锁全文
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“(InxGa1-x)2O3宽禁带半导体材料的制备方法及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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