该发明以邻苯二胺为功能单体、盐酸克伦特罗（CLB）为模板、体积配比为1:2的乙腈与去离子水的混合液为洗脱剂，在以玻碳电极为工作电极、铂丝电极为对电极，饱和Ag/AgCl电极为参比电极的三电极系统中，采用循环伏安（CV）法扫描20圈。该模板分子经过洗脱后，使玻碳电极表面形成了CLB分子印迹的聚合物修饰膜，即CLB分子印迹
电化学传感器。以该传感器为工作电极对CLB实施了电化学测定。结果表明，在5mol·L
‑1 K
3[Fe(CN)
6]溶液中，该传感器的DPV峰电流与CLB浓度在2.02×10
‑8～2.19×10
‑6 mol·L
‑1范围内有良好的线性关系。通过对三种与CLB结构类似的干扰物选择性实验的结果表明该传感器的选择性能良好。
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“盐酸克伦特罗分子印迹聚邻苯二胺修饰电极及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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