本发明涉及光电材料领域，尤其涉及一种α‑MnSe纳米片及其制备方法与用途。所述α‑MnSe纳米片的制备方法包括：以Se和
锰源为原料，经化学气相沉积法制得；所述锰源为MnO
2或MnCl
2。本发明通过选择特定的原料，通过化学气相沉积法(CVD)，在云母基底上制备得到α‑MnSe纳米片；该α‑MnSe纳米片是一种反铁磁的宽带隙半导体。本发明提供的制备方法对α‑MnSe纳米片的尺寸和厚度的可控性好，且工艺简单、合成速度快，制备得到的α‑MnSe纳米片结晶质量高，稳定性好。本发明对二维磁性研究提供了很好的材料选择；将本发明制得的α‑MnSe纳米片应用于光电探测器件中，具有非常优异的光探测性能。
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来源：北方有色网
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