本发明涉及Mn27Si47-Si异质结构纳米线阵列和Mn27Si47一维纳米结构阵列的制备方法。本发明以化学刻蚀方法制备出的硅纳米线阵列作为硅源,以MnCl2为Mn源,通过原位反应得到Mn27Si47-Si异质结构纳米线阵列或Mn27Si47一维纳米线阵列。本发明的制备方法简单,得到的Si-Mn27Si47异质结构纳米线阵列中的Mn27Si47和Mn27Si47一维纳米线均为单晶结构,纳米线的直径都为100～300nm,长度都为20μm。本发明制备的Mn27Si47-Si异质结构纳米线阵列和Mn27Si47一维纳米线阵列在基于Si纳米线的红外探测器、太阳能
光伏器件等方面具有巨大的潜在应用价值。
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