本发明涉及光电探测技术领域，具体公开一种降低微结构硅材料上金半接触电阻的方法及微结构硅材料。本发明的方法包括化学清洗、反应离子刻蚀处理、热退火处理、化学清洗、电极制备以及金属化热处理等步骤。本发明的方法工艺复杂度低，中间过程较少，处理后的微结构硅材料表面较为光滑，同时覆盖其表面的超饱和掺杂层未被去除，在不影响微结构硅材料对近红外光吸收能力的同时，降低了其与金属电极之间的接触电阻，且令金属电极能够稳定的附着在其表面上，能够进一步提高微结构硅光电探测器的近红外光电响应。
声明：
“降低微结构硅材料上金半接触电阻的方法及微结构硅材料” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1000
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
