本发明公开了一种特殊结构的硅片,除具有硅基板外,还具有氧化膜和氮化硅两层膜结构,其中OX膜结构置于硅基板和氮化硅之间。该硅片可应用于半导体制造监控工艺中作为挡控片,即用作填充片和制程监控的硅片。本发明还提出了所涉及硅片的制备方法,即在硅基板上首先采用炉管或者化学气相沉积法生长OX膜结构,膜厚控制在50埃到500埃之间;然后在所述OX膜结构上采用炉管或者化学气相沉积法生长氮化硅膜结构,膜厚控制在500埃到3000埃。本发明中硅片不易受到环境的影响而产生很多污染及干扰,可以延长挡控片的使用寿命并保证颗粒测量的精确度,并最终提高半导体制造监控工艺的准确性,降低生产成本。
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来源：北方有色网
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