本发明公开了一种具有纳米结构的非晶氧化物半导体薄膜，该薄膜包括连续薄膜层和纳米结构层，连续薄膜层直接生长在衬底上；纳米结构层为连续薄膜层的纵向自然延伸，呈现间隔分布的凸起峰和凹陷坑。该薄膜为非晶氧化物半导体ZnTiSnO薄膜。本发明还公开了该薄膜的制备方法，采用溶液化学方法，步骤包括将Zn(NO3)2·6H2O、SnCl2·2H2O+NH4NO3及C12H28O4Ti+NH4NO3分别溶解于二甲氧基乙醇溶剂中，分别加入乙酰丙酮、氨水溶液配成前驱体溶液，配得溶胶，然后旋涂于衬底上，并退火处理。该非晶氧化物半导体薄膜因为具有纳米结构，具有大的比表面积，有望应用于生物传感、气敏、紫外探测等领域。
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来源：北方有色网
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