本发明公开了一种单晶硅传感器
芯片的加工方法，该单晶硅传感器芯片的加工方法包括以下步骤：晶圆处理工序，取适量的研磨粒，并且勾兑一定的水分，形成研磨液，利用研磨液对晶圆进行双面研磨之后，清洗并氧化晶圆的表面，除去晶圆表面的研磨残留物，使得晶圆的表面进行钝化，降低晶圆表面的活性；取框架单元，该框架单元具有带、环状的框架以及该被加工物；根据第一参数规范和测试条件得到第一测试结果；本发明单晶硅传感器芯片的加工方法，采用湿法腐蚀对晶片表面进行处理，其是通过化学蚀刻液和被刻蚀物质之间的化学反应将被刻蚀物质剥离下来的刻蚀方法，选择性高、均匀性好、对晶片损伤少，具有优异的使用前景。
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来源：北方有色网
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