本发明属于
纳米材料制备技术领域，公开了一种二维硫化钨基垂直异质结构材料的制备方法。所述硫化钨基垂直异质结构的制备方法为：采用化学气相沉积法，以Si/SiO
2为衬底，磁控溅射的Mo/W薄膜为Mo、W源，与硫蒸气反应，在Mo/W薄膜附近三个不同区域制备得到WS
2基垂直异质结构，即WS
2/MoS
2、WS
2/MoS
2‑Mo
0.42W
0.58S
2、WS
2/Mo
1‑xW
xS
2(0≤x≤0.75)。所得WS
2基垂直异质结构的形貌为两种不同尺寸的晶体堆叠而成的三角形，可作为晶体管的沟道材料应用于超薄电子器件领域。本发明所述制备方法选用磁控溅射的Mo/W超薄薄膜作为Mo、W源，通过Mo、W源蒸发温度的差异和有效蒸发面积的不同，以及随时间和距离变化的Mo、W源的浓度分布，成功实现二维WS
2基垂直异质结构的组分调变。所述WS
2基垂直异质结构具有可调的发射光波长，在光探测器件中有潜在的应用价值。
声明：
“二维硫化钨基垂直异质结构材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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