本发明公开了一种INALN缓冲层生长ALN和ALGAN的方法,其采用金属有机化学气相沉积外延生长系统在衬底上生长高质量ALN和ALGAN,该方法采用下述工艺步骤:(1)在衬底上直接生长INALN缓冲层或者生长完ALN或ALGAN形核层后再生长INALN缓冲层;(2)在INALN缓冲层上生长高质量的ALN或ALGAN结晶层;(3)进行器件结构的多层生长。利用本方法生长ALN或ALGAN晶体时,能降低材料的位错密度,改善界面平整度,提高材料的质量;同时增大生长窗口,使材料生长更容易,进而改善日盲型的紫外探测器件的性能,大大提高我国探测器件的武器装备水平。而且探测器件也是民用火灾监测系统的主要部件。
声明：
“INALN缓冲层生长ALN和ALGAN的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1084
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
