本发明主要涉及一种用于半导体晶圆的激光研磨工艺，属于晶圆研磨技术领域，包括以下步骤：步骤一，提供待研磨的半导体晶圆；步骤二，利用激光测量计测量晶圆几何参数；步骤三，与晶圆目标几何参数对比确定激光研磨加工余量；步骤四，设定激光研磨加工工艺参数并完成首次激光研磨加工；步骤五，再次测量晶圆几何参数。步骤六，与晶圆目标几何参数对比确定第二次激光研磨加工余量；步骤七，设定激光研磨加工工艺参数并完成第二次激光研磨加工；重复上述步骤，直至晶圆几何参数满足晶圆目标几何参数要求。激光研磨代替传统化学机械研磨，减少了环境污染，拓宽了一台设备可研磨加工的晶圆尺寸；缓解了化学机械研磨精度控制方法浅显，难以保证较高研磨精度的技术问题，优化了晶圆的化学机械研磨工艺，使得晶圆研磨精度的控制工艺更加准确、可靠。
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来源：北方有色网
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