本发明涉及倍半氧化物单晶光纤及其制备方法与应用，该光纤的化学组成为掺杂荧光离子的氧化镥单晶，所述的荧光离子为Tm
3+、Yb
3+或Ho
3+。直径范围:0.7‑2.0mm，长度>10cm。本发明采用激光加热基座法生长氧化镥单晶光纤，其熔点高达2510℃。本发明掺杂Tm
3+、Yb
3+、Ho
3+氧化镥单晶光纤结合了单晶光纤高热导率、高硬度、高强度、高韧性、及稳定的化学性能等优良的物化性能，和Tm
3+、Yb
3+、Ho
3+荧光掺杂离子灵敏度高和频带宽等优点，可用作制备新型的高温荧光探测材料。
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来源：北方有色网
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