本发明涉及基于全二维
半导体材料的双极性光电晶体管及其制备方法和应用，其采用微机械剥离法、化学/物理气相沉积法在SiO
2/Si衬底上制备全二维过渡金属硫族化物(TMDs)半导体层，在半导体层的两端制备Ti/Au电极，随后在TMDs沟道的局部位置沉积介质层；之后对未覆盖介质层的TMDs沟道进行P型掺杂，获得双极性N‑P‑N或P‑N‑P的器件结构。本发明采用全二维TMDs，通过化学局部掺杂的办法获得了双极性光电晶体管结构，解决了纯TMDs探测器中响应速度慢、灵敏度低等问题，实现了高达10
3的光增益、响应时间在ms量级、探测率接近10
12琼斯，其性能可比于商用的Si基探测器，同时制备方法简单，技术成熟，成本低廉，非常有利于商业化推广。
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“基于全二维半导体材料的双极性光电晶体管、制备方法及其应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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