本发明公开了一种高Q高FoM的金属介质辅助GMR的折射率传感
芯片，所述的折射率传感芯片分为四层结构，第一层为底层的透明介质基底，第二层为金属薄膜层，第三层介质光栅层，第四层为高折射率介质光栅层；其中，介质光栅层和高折射率介质光栅层为周期性光栅阵列，光栅周期同为p，光栅占空比同为q，厚度分别为t1和t2，其中t1<t2；通过调整芯片的结构参数，包括金属薄膜层厚度和高折射率介质光栅层的光栅参数及厚度，在Q值较低的GMR（Guided‑Mode Resonance）共振峰的基础上，衍生出一个高Q的共振峰；该高Q共振峰处伴随着相位突变，高Q共振峰具备偏振敏感性。基于本发明可实现高灵敏的折射率传感，对疾病诊断、药物研发、生物化学检测等领域具有发展性的意义。
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“高Q高FoM的金属介质辅助GMR的折射率传感芯片” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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