本公开的实施方式包括与处理用于制造III族金属氮化物和镓基衬底的材料的技术相关的技术。更具体地，本公开的实施方式包括用于使用处理技术的组合来生长大面积衬底的技术。仅以举例的方式，本公开可应用于生长GaN、AlN、InN、InGaN、AlGaN和AlInGaN等的晶体以制造块状衬底或图案化衬底。这种块状衬底或图案化衬底可用于多种应用，包括光电器件和电子器件、激光器、发光二极管、
太阳能电池、光
电化学水分解和氢气产生、光电检测器、集成电路和晶体管等。
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“大面积III族氮化物晶体和衬底、制备方法和使用方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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