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斜角法在硅基片上形成Ag/ZnO核壳结构的方法

987   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 08:04:30
本发明公开了一种斜角法在硅基片上形成Ag/ZnO核壳结构的方法,该方法是先用真空热蒸镀的方法将Ag粉蒸镀到不同倾斜角度的基片上,得到镀有Ag薄膜的基片;然后,配制合适浓度的硝酸溶液,在水浴环境中磁力搅拌,加入三乙醇胺使溶液呈弱碱性,然后将上面得到的有Ag的基片放入此混合溶液中,反应,得到Ag/ZnO核壳结构物。本发明采用斜角热蒸发法制备Ag薄膜,湿化学方法制备ZnO壳层,得到ZnO包覆Ag的纳米级材料;包覆均匀、工艺简单可控、成本低;制备的Ag/ZnO核壳结构材料在生物探针、环境检测、医药学等领域具有潜在的应用价值。
声明:
“斜角法在硅基片上形成Ag/ZnO核壳结构的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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