本发明公开了一种基于多孔硅隔热层的MEMS真空计及其制备方法，该MEMS真空计包括真空计主体和键合于其上方的硅帽，所述真空计主体包括由下到上依次设置的硅衬底、掩膜层、绝缘介质层一和铂金电极，所述铂金电极分布于所述绝缘介质层一的局部区域上；所述硅衬底上通过
电化学刻蚀方法形成多孔硅隔热层，所述多孔硅隔热层上方依次沉积有绝缘介质层一和铂金电极，所述硅帽位于所述多孔硅隔热层的上方，并与所述真空计主体形成检测腔体，所述硅帽具有空气微流道。本发明所公开的MEMS真空计及制备方法可以解决薄膜型MEMS真空计在强烈的气体对流中易造成薄膜损坏的问题，能够增强MEMS真空计的鲁棒性，提高在实际工作环境中的稳定性。
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“基于多孔硅隔热层的MEMS真空计及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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