本发明涉及一种新型掺杂半导体的制备方法。其特征在于：以Zn(CH3COO)2•2H2O为
锌源，以AgNO3溶液为银源，以CdCl2•2.5H2O为镉源，搅拌均匀，得到混合溶液，在氮气保护下，用谷胱甘肽（GSH）作为稳定剂，在碱性水溶液中，以Na2S•9H2O为硫源，水浴加热，反应得到掺杂半导体。该制备方法工艺简单，原料易得，能耗低，量子点粒径均匀，具有优良的水溶性，优异的
电化学性能和荧光性能，荧光发射峰位可调，在荧光探针、光电转换、重金属离子检测等方面有很大的应用前景。
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来源：北方有色网
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