本发明公开了一种氢气传感器芯体用介质材料、氢气传感器芯体及其制备方法和应用，氢气传感器芯体用介质材料为非晶碳；氢气传感器芯体依次包括基片、由非晶碳构成的介质层和氢气敏感层；制备方法包括以下步骤：（1）先清洗基片表面，再去除基片表面的自然氧化层；（2）在经过步骤（1）处理后的基片表面制备非晶碳薄膜；（3）在非晶碳薄膜表面上制备氢气敏感层。非晶碳成分简单，化学性质稳定，特别适合制备高稳定性、长寿命的电子器件。本发明的氢气传感器芯体所制备的MOS电容薄膜氢气传感器能够检测到的氢气浓度下限达10ppm，而且响应时间和脱氢时间小于25s。本发明的氢气传感器芯体的制备方法，工艺简单，材料及加工成本低廉。
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来源：北方有色网
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