本发明涉及一种PtSx高性能光电器件及其制备方法和应用，包括由下自上依次生长的基底、PtSx薄层、两个电极，所述基底的上表面生长有所述PtSx薄层，所述PtSx薄层的上表面设有所述两个电极，1≤x≤2，PtSx薄层通过化学气相沉积法，利用硫化氢气体、氢气和氩气的混合气体，在高温条件下硫化图形化金属铂薄层获得。光电器件通过图形化金属硫化和电极沉积工艺制备，可大面积制备PtSx薄膜和光电器件。本发明所公开的光电器件具有宽光电响应窗口，光电性能高，稳定好，检测灵敏度高，超高的外量子效率，制作简单，成本低，在光电子器件、气体传感器和电子器件领域具有极大的应用潜力。
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来源：北方有色网
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