本发明通过实施例公开了一种表面处理方法、装置、存储介质、控制模组及器件；其中的处理方法在分析判断凸点缺陷BD形成机理的基础上，基于SOI结构特点改进了制程步骤，使得与表面处理有关的若干技术指标得以改善；由于引入了第二臭氧处置O3步骤和/或第三紫外光固化UVC步骤，一方面改善了工件表面的化学成分和稳定性；另一方面也改善了工件表面的光洁度和其他物理特性，使得相关介质层的机械特性更利于整体良率的达成；此外，本发明实施例还给出了改进相关装置、存储介质、控制模组及器件的技术方案，促进了SOI工艺相关的表面处理制程和产品的升级。
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来源：北方有色网
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