本发明公开了一种基于g‑C
3N
4/Mo:BiVO
4结合CuS催化信号放大传感器的制备方法，首先合成了具有良好光
电化学信号的g‑C
3N
4/Mo:BiVO
4，由于Mo掺杂增加了BiVO
4的载流子浓度，提高了载流子分离效率；同时，g‑C
3N
4负载到Mo:BiVO
4形成异质结，使光生空穴从BiVO
4产生并顺利传输到g‑C3N4，加速了电子和空穴的分离，有效抑制了载流子的复合；另外在二抗上面修饰了CuS‑GR作为信号放大载体,一方面增加了传感器的阻抗，引起光电信号的减小，另一方面CuS作为一种p型半导体可以竞争吸收光能和竞争消耗溶液中的供电子试剂抗坏血酸，导致信号的减小，这种夹心型传感器最终测的了满意的检测线。
声明：
“基于g-C3N4/Mo:BiVO4与CuS器件制备” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1085
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
