本发明公开了一种铕、铥共掺杂的
铝硅酸锶电子俘获型光存储材料及其制备方法，所述电子俘获型光存储材料的化学式为Sr
1‑y‑xAl
2Si
2O
8：yEu
2+，xTm
3+，其中，0.001≤y≤0.04，0.005≤x≤0.08。本发明所述的制备方法为高温固相法，原料简单易得，价格低廉，适用于批量大规模生产。本发明制备的光存储材料与以往材料相比，性能极大提升，在光存储性能测试中，共掺杂样品的光激励发光初始强度与单掺杂Eu
2+相比均有明显提高，既适用于新型在近紫外被宽带激发的白光LED蓝光荧光粉，也是一种高性能的光信息存储材料，适于在医疗检测、电子通讯、电子显微镜照相和信息存储等多个应用领域。
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“铕、铥共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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