本发明一种
碳化硅晶片的抛光液，其中各组分所占重量百分比为：二氧化硅抛光液10-30%，粒径为50-100nm；纳米级金刚石研磨液0.1-10%，粒径为50-200nm；辅助氧化剂3-20%；pH调节剂0.5-10%；去离子水为余量；混合后的所述碳化硅晶片的抛光液pH值范围为7-9。适用于对SiC晶片进行化学机械抛光。该抛光液的特点是去除速率快（可在1-3小时内完成）、加工出的碳化硅晶片较光亮，表面强光灯观测无明显划痕且平整、均匀，表面粗糙度经原子力显微镜检测可稳定达到＜0.3nm。
声明：
“碳化硅晶片的抛光液” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
1164
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
