本发明涉及金属氧化物半导体传感器技术领域，尤其涉及一种氧化铈/氧化
铜异质结复合氧化物及其制备方法和应用。所述异质结复合氧化物包括CuO基底和CuO基底表面的负载的CeO
2，化学分子式为：xCeO
2/yCuO，其中x：y＝0.8‑1.5:9‑11，粒径为0.5‑2μm。采用水热法合成CuO基底，然后再利用水热法在CuO基底表面沉淀上Ce(OH)
4，采取相同水热温度和时间，最后经过煅烧处理得到CeO
2/CuO异质结复合氧化物，与单一的CuO基底相比具有更多的活性位点，因而对H
2S有更好的气敏性能，从而能更准确的对H
2S的含量进行检测，进而对SF
6的分解情况进行更准确的监测。
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“氧化铈/氧化铜异质结复合氧化物及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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