一种半绝缘砷化镓晶片双面抛光方法,它包括以下步骤:(1)晶片厚度监测、分组;(2)晶片初次清洗;(3)粘片;(4)正面抛光:抛光设置抛光机压力值10-20PSI,抛光液流量100-160ML/MIN;(5)卸片、粘片及背面抛光;(6)晶片二次清洗;(7)检验包装。本发明的优点是:所使用的抛光液为“2360型”抛光剂添加次氯酸钠溶液,在大型抛光机上对晶片双面进行化学机械抛光,以获得高质量的砷化镓晶片表面,通过该方法抛光所得砷化镓抛光晶片总厚度变化不大于5ΜM,翘曲度不大于20ΜM,晶面平整度不大于4ΜM,表面粗糙度RA达到0.1-0.2ΜM,在8000LUX强光下均未检测到沾污、雾、划道、颗粒、裂、橘皮、鸦爪等缺陷。
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来源：北方有色网
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