本发明公开了一种硒化锑薄膜在线硒补偿方法及装置。本发明的方法是在应用溅射法制备硒化锑薄膜的过程中，在生长室腔体内蒸发固体硒源，以进行在线硒补偿，优化薄膜成分。本发明方法通过调节蒸发硒源的温度时间等参数，可对制备的硒化锑薄膜化学成分进行调节并使之符合化学计量比，解决了应用溅射法制备硒化锑薄膜硒缺失的问题。本发明的装置是在生长室内设有溅射系统和热蒸发系统；所述溅射系统是在所述生长室内设置有带加热丝的旋转衬底台和设置于衬底台下方的溅射靶，以及在所述生长室上设置有冷却系统、进气系统、抽真空系统和气压检测系统；所述热蒸发系统是在所述生长室内设置有用于盛放固态硒源的热蒸发坩埚。
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来源：北方有色网
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