本发明提供了一种硫离子注入纳米金刚石‑
石墨烯复合薄膜，本发明利用热丝化学气相沉积在单晶硅衬底上制备纳米金刚石‑石墨烯复合薄膜，对制备出的复合薄膜进行硫离子注入，并对注入后的复合薄膜进行真空退火处理，即得到SNCD‑G复合薄膜，该复合薄膜具有优异的
电化学活性、极低的背景电流和较宽的电势窗口，十分有利于应用在高精度的痕量检测领域。
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“硫离子注入纳米金刚石-石墨烯复合薄膜电极及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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