本发明涉及一种双栅ISFET模型的仿真方法。步骤如下：1：获取待仿真双栅离子敏感场效应晶体管(ISFET)器件的结构参数；2：根据电解质的物理化学特性，利用TCAD工具重定义电解质的材料参数；3：构建网格化的双栅ISFET模型；4：设置掺杂、界面状态、接触类型等；5：获取I‑V特性和pH特性曲线，并对仿真结果进行分析；6：根据分析结果，选择不同的材料和尺寸再次进行模拟；7：对比不同结构参数的仿真结果，获取性能优良的双栅ISFET器件。本发明提供的仿真方法可优化器件的结构和材料参数，进一步提高双栅ISFET器件的pH灵敏度，从而节约器件的研发成本，为双栅ISFET器件的研制提供一定的指导。
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来源：北方有色网
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