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2.5-10um谱段高透低应力薄膜及其制备方法

912   编辑:管理员   来源:北方有色网  
2023-03-19 07:45:48
本发明公开一种2.5-10um谱段高透低应力薄膜,所述薄膜为镀制在多光谱硫化表面的HfON薄膜,所述薄膜制备方法为:一、对多光谱硫化锌基片分别采用去离子水冲洗、分析纯丙酮超声清洗和分析纯无水乙醇超声清洗,然后将基片表面擦净;二、在真空室内安装铪靶,然后安装多光谱硫化锌基片,铪靶和多光谱硫化锌基片之间设置挡板;三、将真空室抽真空至3.0×10-3~5.0×10-3Pa,并将基片加热到150~200℃;四、利用等离子体轰击清洗铪靶10~15分钟;五、离子轰击清洗铪靶后,打开挡板,采用离子束反应技术,并通入氮气和氧气,制备HfON薄膜。本发明为基底材料提供良好的物理、化学及红外光学性能的保护薄膜。
声明:
“2.5-10um谱段高透低应力薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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