本发明属于薄膜材料技术领域，涉及碳基薄膜材料技术领域，具体涉及一种Cr掺杂ta‑C导电耐蚀碳基薄膜及其制备方法和应用。本发明的Cr掺杂ta‑C导电耐蚀碳基薄膜为CrC纳米晶镶嵌的四面体非晶碳母相结构，由Cr过渡层、Cr梯度含量掺杂ta‑C过渡层和Cr掺杂的ta‑C层组成，薄膜中Cr的掺杂含量为9.6～23.2at.％；所述薄膜采用磁过滤电弧离子镀和磁控溅射复合沉积技术在金属基底上沉积制得。本发明的Cr掺杂ta‑C薄膜具有高sp3碳‑碳键含量、低残余内应力、高导电性和高耐
电化学腐蚀性，可应用于燃料电池金属双极板、电化学有机
污水处理薄膜电极和电化学重金属离子检测薄膜电极等领域。
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“Cr掺杂ta-C导电耐蚀碳基薄膜及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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