本发明涉及一种金纳米井阵列电极及其制备方法，其包括有金纳米管阵列主体、金纳米柱阵列底片、集电体，所述金纳米管阵列主体是在模孔直径为400‑800nm的聚碳酸酯滤膜上化学沉积金制成的，金纳米管的壁厚为50‑200nm；金纳米柱阵列底片是在模孔直径为80‑200nm的聚碳酸酯滤膜上化学沉积金制成的；金纳米柱阵列底片通过导电胶粘结固定在集电体上，金纳米管阵列主体平铺覆盖在金纳米柱阵列底片上，周边用绝缘胶带密封固定在集电体上，得到金纳米井阵列电极。本发明组成结构简单、合理，连接可靠、稳定，具有三维结构，表面积大，能够实现检测体系的微型化和集成化，有效避免不同材质导致的
电化学响应信号的干扰。
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来源：北方有色网
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