本发明公开的属于
太阳能电池技术领域，具体为一种新型背腐蚀刻边工艺，该新型背腐蚀刻边工艺包括如下步骤：S1：制绒：对晶硅片表面进行预清洗并干燥，然后采用酸液对晶硅片进行腐蚀，将多晶表面做成凹坑状，得到陷光性能良好的绒面；S2：扩散；S3：背腐蚀；S4：镀减反射膜：在晶硅片的表面采用等离子体增强化学的气相沉积法沉积减反射膜；S5：丝网印刷金属化；S6：烧结：把晶硅片放入烧结炉中，烧结温度控制在300‑900摄氏度，烧结时间为58‑62秒，S7：分类检测、测试、包装，提高了电池的效率，节省了化学原料，边缘无刻边，背面腐蚀均匀，避免气泡和腐蚀不均匀带来的影响，大大降低了破片率，工艺简单，成本低廉。
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来源：北方有色网
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