本发明公开了一种聚吡咯包覆Co3O4纳米线的三维阵列电极及其制备方法和应用，该聚吡咯包覆Co3O4纳米线的三维阵列电极以泡沫
铜为基底，在基底上负载聚吡咯包覆Co3O4纳米线的三维阵列，Co3O4纳米线的长度为1～1.8μm，直径为100～130nm，聚吡咯包覆层的厚度为10～15nm，Co3O4纳米线具有多晶结构。本发明降低了实验成本，操作方法简便，得到的改性电极有优异的
电化学性能，并且利用三维阵列结构的优势改善了Co3O4的导电性能，增加了电极材料的比表面积和活性位点，提高了Co3O4对于Pb2+的检测能力；引入含氮的聚吡咯进一步改善电极材料的导电性，含氮基团能够有效和Pb2+络合，有利于检测时Pb2+富集，进一步提升了传感器对Pb2+检测灵敏度的提高和检测限的降低，在
铅离子监测等方面有广阔的应用前景。
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“聚吡咯包覆四氧化三钴纳米线的三维阵列电极及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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