本发明公开了一种基于水蒸气的二维过渡金属硫属化合物转移方法，主要解决先现有技术工艺复杂且易于化学污染的问题。其实现方案是：1)使用化学气相沉积CVD方法在生长基片上生长二维材料薄膜；2)用等离子体激活超薄碳膜Cu网作为目标载体；3)利用水蒸气在二维材料与衬底表面蒸镀一层水层；4)用酒精将衬底表面的二维材料冲洗到超薄碳膜Cu网表面；5)将超薄碳膜Cu网在热板上加热烘干固化，完成从生长基片到超薄碳膜Cu网的转移。本发明工艺简单灵活，无需刻蚀牺牲层，耗时短、效率高，转移过程中无化学污染，可用于推广以二维过渡金属硫属化合物为代表的其他二维材料的转移和分析过程中。
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来源：北方有色网
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