本发明公开了一种硅电极的再生加工方法，包括以下步骤：S1:外观检验；S2:尺寸测量；S3：双面LAPPING，在弱碱性环境下用双面研磨机对硅电极表面损伤进行去除再生；S4：煮沸清洗，将硅电极放入加热槽中煮沸，导入化学洗净剂，进行洗涤，然后在纯水槽中浸泡冲洗，并通入超声波去除硅电极表面杂质；S5：化学刻蚀，在酸液中对硅电极整体刻蚀，去除表面损伤缺陷；S6：抛光处理，在碱性抛光液条件下用抛光机对硅电极非装配表面进行抛光；S7：洗净处理，用酸液对硅电极进行清洗；S8：最终检测；S9：烘干包装。采用了双面研磨技术，能够有效去除硅表面的使用痕迹和损伤缺陷，并对表面离子沾污进行清洗，达到表面再生，可持续使用的目的。
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来源：北方有色网
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