本发明属于半导体器件制作技术领域,是一种
多晶硅薄膜晶体管离子注入机。本发明包含有真空室,抽气装置,气路部分,电控制器。本发明的气路部分通过配气截止阀同真空室连接,向真空室运送所要注入的气体。抽气装置通过角阀和闸板阀同真空室连接,利用
真空泵使真空室保持一定的真空度。电控制器连接所有的用电部件,作为本发明的电源。本发明采取离子通量注入的方式,省去了现有技术中质量分析系统、离子束聚焦和扫描系统,因此结构简单,而且可以大面积的离子注入。在抽气装置上增加大排量机械泵,使本发明可以用作化学气相淀积PECVD和等离子刻蚀。
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来源：北方有色网
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