本发明公开一种基于
石墨烯片层的纳机电谐振式传感器及其制作方法，P-Si衬底上设有漏极-N型掺杂区和源极-N型掺杂区，漏极-N型掺杂区上设有漏极电极，源极-N型掺杂区上设有源极电极，在P-Si衬底表面上且位于漏极-N型掺杂区和源极-N型掺杂区的正中间安置两个SiO2锚区，石墨烯两端固支梁的两端分别悬于两个SiO2锚区上，石墨烯两端固支梁的一端上设置一个与其相连接的顶栅电极；利用梁的振动引起电场的变化来确定627谐振器的谐振频率，能将微弱的谐振信号直接放大成可用于检测的电压信号，避免了外接有源电路，使电路简化，能消除了由于寄生电容引起的低通滤波现象，尤其适用于超小质量的化学物质检测。
声明：
“基于石墨烯片层的纳机电谐振式传感器及其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
885
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
