一种在CMP(化学机械磨光)机上优化半导体晶片的CMP处理的方法。优化方法包括在一个CMP机上磨光一个测试系列的半导体晶片的步骤。在CMP处理期间,利用连接于磨光机上的薄膜厚度检测器来测量相应晶片上接近于中心的第一点上的薄膜厚度。还要测量接近于相应晶片的外部边缘处第二点上的薄膜厚度。根据在第一点和第二点上测量的处理中的晶片的薄膜厚度,优化处理确定一个描述与一组处理变量相关的清除率和清除均匀度的磨光轮廓。处理变量包括磨光处理的不同的CMP机设定,诸如施加于晶片上的向下作用力的大小。从而,磨光轮廓被随后用于磨光产品晶片。对于每一个产品晶片,通过利用薄膜厚度检测器测量晶片中心点和外部边缘点的薄膜厚度,来确定其相应的清除率和清除均匀度。基于这些测量,依照清除率和清除均匀度的测量结果来调整该组处理变量,在磨光每个相应的产品晶片时,优化产品晶片的CMP处理。
声明：
“半导体晶片磨光的方法和系统” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
897
编辑：管理员
来源：北方有色网
咨询细节
