本发明提出一种液栅
石墨烯场效应晶体管的直流模型改进方法,包括对结合
电化学理论对传统GFET模型进行改进、并引入浓度参数变量的方向，进行再次改进、最后进行验证三个步骤，本发明通过引入电双层电容准确描述液栅中的电极物理效应，首先修正了传统GFET的直流模型，克服了其不能适用于LG‑GFET的弊端，并且结合化学反应平衡原理，推导出检测物浓度对石墨烯掺杂的影响，使用弛豫时间函数拟合检测物浓度与载流子迁移率的的关系，最终建立了浓度相关的LG‑GFET直流模型，提高了模型的应用范围，同时引入检测物浓度作为自变量，使得在检测得到电学信号的同时还可以利用该模型直接得到检测物的浓度，为生物检测领域提高了检测效率。
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“液栅石墨烯场效应晶体管的直流模型改进方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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