本发明公开了一种在化学机械抛光半导体圆片(100、200)期间确定终点的方法。该方法包括步骤:在待抛光的第一层(106、206)上,沉积第二层(108、208),第一层(106、206)的物理特性不同于第二层(108、208)的物理特性。此后,利用化学机械抛光抛光圆片(100、200)。因为各层的物理特性不同,所以可以检测物理特性的变化,而且可以根据检测到的变化,确定终点。此外,还公开了一种用于化学机械抛光的半导体圆片。
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来源：北方有色网
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