本发明公开了一种重掺砷衬底上外延层过渡区的控制方法。本发明采用化学气相沉积技术,在N型重掺砷硅衬底上分两次生长轻掺的薄硅外延层。即生长完第一层本征外延层后,降至870-930℃取出,此期间通入HCL腐蚀基座除去记忆效应,腐蚀完成后,再把该片在870-930℃下装炉,重新生长余下的外延层。经用扩展电阻分析仪对用常规方法和本发明的方法制得的外延层进行检验、比较,发现本发明所述方法制得的外延层过渡区陡峭,外延层的电阻率的均匀性很好。
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来源：北方有色网
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