本发明提出一种半导体氧化物纳米颗粒修饰
贵金属纳米锥阵列结构的SERS衬底的制备方法，包括：首先采用低温电感耦合等离子体增强反应离子刻蚀技术，对硅片进行无掩膜刻蚀，获得高密度大面积纳米硅锥阵列结构；然后利用磁控溅射或热蒸镀在上述纳米硅锥结构上包覆一层纳米厚度的贵金属膜；最后采用提拉浸渍法在上述贵金属膜覆盖的纳米硅锥上均匀单分散负载一层ZnO纳米颗粒获得SERS衬底。本发明制备得到的ZnO纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构SERS衬底具有贵金属的物理电磁增强效应，还耦合了半导体的电荷转移化学增强机制，通过二者的协同效应，对于提高SERS衬底的灵敏度、增强因子、实际检测中对痕量物质的定量分析能力具有重要意义。
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“半导体氧化物纳米颗粒修饰贵金属纳米锥阵列结构的表面增强拉曼衬底的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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