针对现有的制作工艺形成的沟槽型功率晶体管易出现漏电流过大问题，本发明人对其产生原因进行了分析，发现其中一个原因为：对功率晶体管沟槽外的
多晶硅和栅极氧化层进行平坦化处理时，上述平坦化处理一般采用研磨法，例如化学机械研磨（CMP），对于栅极氧化层较薄的情况，上述研磨会由于终点难以检测，造成功率晶体管沟槽开口处的多晶硅及周围外延层出现过度研磨，从而造成功率晶体管的沟道过短，出现短沟道效应。针对上述问题，本发明提出一种新的沟槽型功率晶体管及其制作方法，其制作方法在外延层上至少形成研磨终止层，利用其对研磨过程进行终点检测，从而避免过度研磨问题，也避免了制作的功率晶体管的短沟道效应，减小了源-漏漏电流。
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“沟槽型功率晶体管及其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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