本发明涉及一种钽掺杂氧化
锡薄膜载体材料,它由普通玻片或单晶硅片基底材料、钽掺杂氧化锡薄膜及醛基活性修饰层组成,并且钽掺杂氧化锡薄膜的成分为下列质量百分含量:TA 0.8～8.2%;SN 70.9～78%;O 20.9～21.2%。所提供的载体材料具有表面平坦致密、厚度均匀、活性基团密度高、亲水性能好、化学稳定性高、电阻率低以及生物相容性好等特性,能够实现对生物信号的高灵敏度、高可靠性和强特异性无标记电学检测、识别与分析,该载体材料适于采用无标记电学检测技术的基因
芯片。本发明还具有制备工艺简单易行,成本低廉,易于实现工业化生产等特点。
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“基因芯片用钽掺杂氧化锡薄膜载体材料” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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来源：北方有色网
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