本发明公开了一种大规模小像元铟镓砷焦平面探测器制备方法，具体步骤如下：1)淀积氮化硅扩散掩膜，2)开扩散窗口，3)闭管扩散，4)生长P电极，5)快速热退火，6)开N槽，7)淀积氮化硅钝化膜，8)开P、N电极孔，9)生长加厚电极，10)金属化，11)生长铟柱。本发明的优点在于：1、制备工艺更简单，首先生长P区电极的工艺方法，降低光刻偏差和过刻蚀可能导致的P区电极与N区InP材料之间的导通风险；2、引入感应耦合等离子体化学气相沉积(ICPCVD)技术生长低温氮化硅钝化膜，
芯片的表面钝化层结构致密，降低工艺过程对材料表面造成的损伤，改善表面钝化效果；3、金属化区域和铟柱区域一体化光刻生长技术，降低器件的接触电阻。
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来源：北方有色网
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